可测试材料:
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等等；
低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等等；
高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等.
霍尔效应系统组成：
本仪器系统由电磁铁、高精度电磁铁电源、霍尔效应测试仪、连接电缆、标准样品、样品安装架、系统软件组成。本系统专门研制的BLD-710霍尔效应测试仪，可轻松完成样品的所有测量数据，大大减化了实验的连线与操作。BLD-710霍尔效应测试仪可单独做恒流源、微伏表使用。
系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance) 、I-V曲线及I-R曲线测量等参数。
系统的主要技术指标:
1 磁 场：大于7000高斯(S-50) 大于14000高斯(S-100)磁场间隙15mm
2 样品电流：0.1微安~50毫安
3 测量电压：0.1微伏~30伏
4 提供各类测试标准材料: GaAs, Si等等
5 磁场最小分辨率：0.1GS
6 磁场范围：0-1.9T
7 阻值范围：10mΩ~1MΩ
8 载流子浓度：104~1018cm-3
9 迁移率：1~107cm2/volt*sec
10 系统测量误差：<2%
注：S-100型以上系统可加装高低温设备，形成变温霍尔效应测试系统。
