高低温霍尔效应测试仪

BLD710S-100全自动变温霍尔效应测试系统

变温霍尔效应测试系统：本系统由霍尔效应测试仪，电磁铁、高精度恒流源、真空泵、霍尔探头、低温恒温器、高精度温控器、系统软件等组成。

可测试材料:

半导体材料：Si,SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs,和铁氧体材料等；

低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等；

高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN 等

　系统主要技术指标：

磁场大小：大于9000高斯（Gs）（电磁铁28mm间距）

样品电流：0.5uA—100mA

测量电压：0.1uV—30V

磁场最小分辨率：0.1Gs

磁场范围：0-1T

温度调节0.1K/0.1℃

温区：80K-460K

全自动化一键测量

可与计算机通过串口通信

▲ 电阻率范围：10^-6~10¹¹ Ohm*cm  

▲ 载流子浓度：10⁴~10¹⁸cm-3

▲ 电阻范围：0.010 Ohms~ 1MOhms    

▲ 迁移率：1~10⁷cm2/volt*sec